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BSM50GP120: Specifiche chiave, diagramma del circuito e guida all'acquisto

Mar12
Sfoglia: 350
BSM50GP120 è un potente modulo a transistor realizzato da Infineon Technologies.È progettato per grandi lavori in luoghi come le fabbriche, gestire l'elettricità in modo efficiente con il suo design avanzato.Sebbene questo modello sia ora obsoleto e non è più realizzato, è comunque fantastico in molti sistemi e progetti.

Catalogare

1. Panoramica BSM50GP120
2. Caratteristiche BSM50GP120
3. Specifiche BSM50GP120
4. Diagramma del circuito BSM50GP120
5. Alternative BSM50GP120
6. Applicazioni BSM50GP120
7. Schema del pacchetto BSM50GP120
8. Vantaggi e svantaggi di BSM50GP120
9. Fattori da considerare quando si acquista BSM50GP120
10. produttore
11. Conclusione

BSM50GP120: Key Specifications, Circuit Diagram, and Buying Guide

Panoramica BSM50GP120

IL BSM50GP120 è un robusto modulo IGBT (Transistor bipolare a gate isolato) da tecnologie infine, ottimizzato per applicazioni di alimentazione ad alta efficienza.Questo modulo da 1200 V 50a presenta una configurazione inverter trifase che integra sia transistor che diodi, rendendolo ideale per attività di commutazione di alimentazione complesse.È costruito utilizzando la tecnologia Econopim ™ 3, che garantisce compattezza e affidabilità.Le specifiche chiave includono una corrente di collettore DC nominale di 50A a 80 ° C, una corrente di collettore di picco ripetitivo di 100A e una dissipazione totale di potenza di 360 W a 25 ° C.Ha anche una tensione di emettitore gate di ± 20 V e può resistere a tensioni di test di isolamento di 2,5 kV RMS.Per una maggiore protezione del sistema, incorpora un termistor NTC per il monitoraggio della temperatura e supporta il montaggio PCB di pressa-FIT per una facile integrazione.Si noti che BSM50GP120 è marcato obsoleto;Tuttavia, per gli ordini sfusi o le richieste di sostituzione, contattaci per esplorare alternative adeguate e proteggere le tue esigenze.

Funzionalità BSM50GP120

Valutazioni di tensione e corrente

• Tensione del collettore-emettitore (vCes): 1200v
• Corrente del collettore DC nominale (iC, nom): 50a a tC = 80 ° C.
• Corrente del collettore di picco ripetitivo (iCRM): 100a (tP = 1 ms, tC = 80 ° C)

Potenza e gestione termica

• Dissipazione totale di potenza (Ptot): 360w a tC = 25 ° C.
• Termistore NTC: incluso per il monitoraggio della temperatura

Valutazioni di tensione

• Tensione del gate-emetter (vGes): ± 20 V.
• Tensione di test di isolamento (VIsolamento): 2,5 kV RMS per 1 minuto a 50Hz

Design e tecnologia

• Tecnologia: Econopim ™ 3, Miglioramento della compattezza e affidabilità
• Montaggio: il montaggio PCB press-fit semplifica l'integrazione elettrica

Configurazione del modulo

• Tipo: configurazione dell'inverter trifase, integrazione sia dei componenti di transistor che diodi, incluso un elicottero boost

Specifiche BSM50GP120

Elementi
Simboli
Valutazioni
Unità
Condizioni
Raddrizzatore del diodo
Tensione inversa del picco ripetitivo
VRrm
1600
V
-
RMS Forward Current per chip
IOFrm
40
UN
-
Corrente in avanti dc
IOF
50
UN
TC = 80 ° C.
Surging Forward Current
IOFSM
500
UN
TP = 10 ms, tVJ = 25 ° C.
Surging Forward Current
IOFSM
400
UN
TP = 10 ms, tVJ = 125 ° C.
Valore
I²t
1250
A²s
TP = 10 ms, tVJ = 25 ° C.
Valore
I²t
800
A²s
TP = 10 ms, tVJ = 150 ° C.
Inverter transistor
Tensione da collezione-emettitore
VCes
1200
V
-
Corrente di collettore DC
IOC NOM
50
UN
TC = 80 ° C.
Corrente di collettore DC
IOC
8 UN
TC = 25 ° C.
Corrente del collettore di picco ripetitivo
IOCRM
100
UN
TP = 1 ms, tC = 80 ° C.
Dissipazione totale di potenza
Ptot
360
W
TC = 25 ° C.
Tensione di picco del gate-emetter
VGes
+/- 20
V
-
Inverter di diodo
Corrente in avanti dc
IOF
50
UN
TC = 80 ° C.
Picco di picco ripetitivo corrente in avanti
IOFrm
100
UN
TP = 1 ms
Valore
I²t
1.200
A²s
VR = 0V, tP = 10ms, TVJ = 125 ° C.
Transistor Brake-Chopper
Tensione da collezione-emettitore
VCes
1200
V
-
Corrente di collettore DC IOC NOM
IOC
25
45
UN
UN
TC = 80 ° C.
TC = 25 ° C.
Corrente del collettore di picco ripetitivo
IOCRM
50
UN
TP = 1 ms, tC = 80 ° C.
Dissipazione totale di potenza
Ptot
230
W
TC = 25 ° C.
Tensione di picco del gate-emetter
VGes
+/- 20V V
-
Chopper freno a diodi
Corrente in avanti dc
IOF
15
UN
TC = 80 ° C.
Picco di picco ripetitivo corrente in avanti
IOFrm
30
UN
TP = 1 ms

Diagramma del circuito BSM50GP120

 BSM50GP120 Circuit Diagram

Il diagramma del circuito mostra l'interno del BSM50GP120, un modulo IGBT da 1200V da 50A utilizzato in cose come unità motore e inverter.Ha tre parti principali: un ponte raddrizzatore trifase, un inverter trifase e un termistore (NTC) per il controllo della temperatura.

Sul lato sinistro, il ponte del raddrizzatore cambia la tensione di ingresso CA in DC.Ha sei diodi impostati in un layout a ponte pieno, con terminali 1, 2 e 3 per l'ingresso CA e 21 e 23 per l'uscita DC.

La sezione centrale è l'inverter trifase che trasforma la tensione CC in un'uscita CA controllata.Ha sei IGBT con diodi a ruota libera disposti in una configurazione trifase.Questi IGBT sono collegati con i collegamenti di gate (7, 4, 5, 13, 12, 11) e terminali emettitori/collezionisti, costituiti tre coppie a mezzo ponte.

Sul lato destro, il termistore NTC (collegato ai terminali 8 e 9) monitora la temperatura per evitare il surriscaldamento inviando feedback al circuito di controllo.

Alternative BSM50GP120

  • BSM50GB120DN2
  • BSM50GD120DN2
  • BSM50GD60DLC
  • BSM50GAL120DN2
  • BSM50GB170DN2
  • BSM50GD170DL
  • BSM50GD120DLC
  • BSM50GB60DLC
  • BSM50GD120DN2G
  • BSM50GD60DLCE3226
  • Applicazioni BSM50GP120

    Unità motoria

    Utilizzato per il controllo di motori elettrici in varie applicazioni industriali e automobilistiche, garantendo una gestione e controllo di energia efficienti.

    Inverter

    Converte DC in alimentazione CA, adatto per applicazioni in sistemi di energia rinnovabile come pannelli solari o nei sistemi di backup di alimentazione.

    APRITENZE INDUSTRIALI

    Fornisce una conversione e un controllo di potenza affidabili ed efficienti in contesti industriali pesanti, supportando una vasta gamma di macchinari e attrezzature.

    Schema del pacchetto BSM50GP120

     BSM50GP120 Package Outline

    Il diagramma di imballaggio del modulo BSM50GP120 fornisce dimensioni meccaniche dettagliate per l'installazione e il montaggio.Il corpo del modulo misura 122 mm di lunghezza, 62 mm di larghezza e 17,45 mm di altezza, con posizioni del foro di montaggio definite con precisione per l'attacco sicuro.Il layout del pin nella parte inferiore indica connessioni elettriche, garantendo una corretta integrazione con i circuiti.Le pinne di dissipazione del calore in alto migliorano la gestione termica.Le viste laterali e sezionali chiariscono le autorizzazioni dei componenti, la spaziatura del connettore e i dettagli di tolleranza per un appuntamento preciso negli assemblaggi.Questo progetto garantisce un funzionamento stabile nelle applicazioni di elettronica di alimentazione.

    Vantaggi e svantaggi di BSM50GP120

    Vantaggi

    Basse perdite di commutazione: Il BSM50GP120 presenta una perdita di energia relativamente bassa durante le operazioni di commutazione, paragonabile a quelle dei transistor bipolari o degli GTO, specialmente in gamme di tensione più elevate.​

    Alta cortocircuito Restringi la capacità: In caso di corto circuito, il modulo può limitare e scollegare la corrente di guasto, migliorando la protezione e l'affidabilità del sistema.​

    Svantaggi

    Calco di tensione sullo stato più elevato: Rispetto ai diodi P-I-N o agli interruttori tiristori con spessore strutturale simile, il BSM50GP120 ha in genere una goccia di tensione sullo stato più elevato, che può influire sull'efficienza.​

    Compatibilità elettromagnetica (EMC) Preoccupazioni: Le caratteristiche di commutazione rapida del modulo possono portare a oscillazioni ad alta frequenza e impulsi a sovratensione a breve, causando potenzialmente problemi EMC che richiedono un attento design del circuito da mitigare.​

    Fattori da considerare quando si acquista BSM50GP120

    Stato di obsolescenza

    Il BSM50GP120 è contrassegnato come fine vita e previsto per obsolescenza dal produttore.Ciò significa che la disponibilità futura potrebbe essere limitata e il supporto potrebbe diminuire nel tempo.

    Specifiche tecniche

    Assicurarsi che le specifiche del modulo - come la valutazione della tensione (1200 V), la capacità di corrente (50a) e la dissipazione di potenza (360 W) - soddisfano le esigenze della tua applicazione.La compatibilità con i parametri elettrici del sistema è fondamentale per prestazioni ottimali.

    Idoneità dell'applicazione

    Valuta se le funzionalità del BSM50GP120 si allineano all'applicazione prevista, come unità motori, inverter o alimentatori industriali.Considera le caratteristiche delle prestazioni del modulo e il modo in cui si adattano ai requisiti operativi del sistema.

    Disponibilità e tempi di consegna

    Dato il suo stato di obsolescenza, controlla gli attuali livelli di scorta e i tempi di consegna.La pianificazione di potenziali carenze o ritardi è essenziale per mantenere le scadenze del progetto.

    Considerazioni sui costi

    Valuta i prezzi del modulo in relazione al budget.I componenti obsoleti possono avere prezzi fluttuanti a causa della disponibilità limitata, quindi è prudente confrontare i costi tra più fornitori.

    Soluzioni alternative

    Esplora moduli IGBT alternativi che offrono caratteristiche di prestazione simili o migliorate.Il passaggio a un componente più corrente e supportato può migliorare l'affidabilità e il supporto a lungo termine.

    Produttore

    Infineon Technologies AG è una delle migliori società di semiconduttori con sede a Neubiberg, in Germania.È iniziato nel 1999 quando si è separato da Siemens AG.Come una delle principali società di semiconduttori al mondo, Infineon svolge un ruolo importante in vari settori, tra cui la sicurezza automobilistica, industriale e digitale.Infineon è noto per la sua vasta gamma di prodotti, in particolare nell'elettronica automobilistica, dove fornisce semiconduttori per i sistemi di veicoli.La società si concentra anche sulle applicazioni industriali con i suoi semiconduttori e sensori di potenza per la gestione dell'alimentazione nell'elettronica di consumo.

    Conclusione

    Nel complesso, BSM50GP120 è stata una parte affidabile per il controllo della potenza in macchinari pesanti e altre applicazioni.Anche se non viene più prodotto, la sua influenza sulla tecnologia di gestione dell'alimentazione è ancora considerevole.Gli utenti di questo modulo dovrebbero conoscere le sue capacità e le sue limitazioni per far funzionare i loro sistemi senza intoppi e pianificare i futuri aggiornamenti.Infineon continua a respingere nuove tecnologie che si basano su ciò che è stato appreso da prodotti come BSM50GP120.

    PDF da foglio dati

    Foglio dati BSM50GP120:

    BSM50GP120 Dettagli PDF
    BSM50GP120 Dettagli PDF per FR.PDF
    BSM50GP120 Dettagli PDF per KR.PDF
    BSM50GP120 Dettagli PDF per it.pdf
    BSM50GP120 Dettagli PDF per ES.PDF
    BSM50GP120 Dettagli PDF per de.pdf

    Domande frequenti [FAQ]

    1. Quanto dura il BSM50GP120?

    Il BSM50GP120 può funzionare per anni se non è troppo caldo, non sovraccarico e ha un buon raffreddamento.Ma, impedisci che si scalda troppo Evita il fallimento precoce.

    2. Il BSM50GP120 può essere risolto se rotto?

    No, una volta danneggiato, non può essere riparato.Dovrai sostituirlo con un modulo nuovo o simile.

    3. Il BSM50GP120 è buono per i sistemi di energia solare e eolica?

    Sì, funziona per le configurazioni di energia solare e eolica.Tuttavia, dato che lo è Un modello più vecchio, potrebbero esserci versioni più recenti che sono più efficienti.

    4. Qual è la temperatura massima di giunzione per BSM50GP120?

    Il BSM50GP120 ha una temperatura di giunzione massima (TVJ Max) di 150 ° C, oltre al quale può verificarsi il degrado delle prestazioni.

    5. BSM50GP120 richiede driver di gate esterni?

    Sì, è necessario un circuito del driver del gate esterno per controllare correttamente il funzionamento di commutazione degli IGBT.

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