Accelerare lo sviluppo e il lancio di soluzioni avanzate di nitruro di gallio di potenza; sfruttare appieno l'esperienza del mercato automobilistico di ST e la tecnologia di produzione leader mondiale di TSMC; migliorare l'efficienza energetica dei prodotti a larga banda e rendere le applicazioni di conversione di potenza più efficienti dal punto di vista energetico
Il 24 febbraio, STMicroelectronics e TSMC hanno collaborato per accelerare lo sviluppo della tecnologia di processo al nitruro di gallio (GaN) e la fornitura di dispositivi GaN discreti e integrati. Attraverso questa collaborazione, gli innovativi prodotti strategici di nitruro di gallio della ST utilizzeranno il processo di produzione GaN leader del settore di TSMC.
镓 Il nitruro di gallio (GaN) è un materiale semiconduttore a banda larga. Rispetto ai tradizionali semiconduttori al silicio, presenta evidenti vantaggi. Ad esempio, ha una maggiore efficienza energetica quando si lavora ad alta potenza, il che riduce significativamente la perdita di potenza parassita. La tecnologia GaN può anche progettare dispositivi più compatti, offrendo all'applicazione target un fattore di forma migliore. Inoltre, la velocità di commutazione dei dispositivi al nitruro di gallio è 10 volte quella dei dispositivi al silicio e, allo stesso tempo, la temperatura operativa di picco è maggiore. Queste caratteristiche di materiali robusti e robusti rendono il nitruro di gallio molto adatto per le crescenti applicazioni automobilistiche, industriali, di telecomunicazione a 100 V e 650 V e per i consumatori specifici e altre applicazioni.
In particolare, rispetto alla tecnologia al silicio basata sulla stessa topologia, la tecnologia IC di nitruro di gallio e nitruro di gallio di potenza consentirà alla STMicroelectronics di fornire ai clienti migliori soluzioni a risparmio energetico per applicazioni di media e alta potenza, compresi i veicoli ibridi ed elettrici. Convertitore di potenza e caricabatterie. La tecnologia IC di nitruro di gallio e nitruro di gallio alimenterà il rapido sviluppo dell'elettrificazione di autovetture e veicoli commerciali.
La STMicroelectronics, Marco Monti, Presidente di Automotive and Discrete Devices, ha dichiarato: "In qualità di leader nell'ingegnosa tecnologia dei semiconduttori a larga banda automobilistica e industriale e nell'industria dei semiconduttori di potenza, la STMicroelectronics è ottimista sull'accelerazione dello sviluppo e della consegna della tecnologia dei processi al nitruro di gallio, L'enorme opportunità offerta dal lancio dei prodotti IC in nitruro di gallio e nitruro di gallio sul mercato. TSMC è un partner di fiducia nella fonderia e solo loro possono soddisfare i requisiti unici di affidabilità e pianificazione dello sviluppo dei clienti target di ST. "Questo progetto collaborativo completa la nostra capacità di produzione per la produzione di nitruro di gallio elettrico in collaborazione con CEA-Leti presso lo stabilimento di Tours, in Francia. GaN è la prossima grande innovazione nel campo dell'elettronica di potenza e della potenza intelligente e della tecnologia di processo ".
"Non vediamo l'ora di lavorare con la STMicroelectronics per portare la tecnologia dell'elettronica di potenza al nitruro di gallio nelle applicazioni di sistemi di conversione dell'energia industriale e automobilistica. La competenza di TSMC nella produzione di nitruro di gallio leader del settore, combinata con la progettazione di prodotti ST e la certificazione di livello automobilistico migliorerà significativamente l'energia efficienza della conversione di potenza industriale e automobilistica, renderla più efficiente dal punto di vista energetico e rispettosa dell'ambiente e contribuire ad accelerare il processo di elettrificazione delle automobili. "
È stato riferito che la STMicroelectronics dovrebbe consegnare i primi campioni di dispositivi discreti al nitruro di gallio di potenza ai principali clienti entro la fine dell'anno, e quindi consegnare i prodotti GaN IC in pochi mesi.