Il mercato globale delle memorie continua a divergere, poiché i due principali produttori di memorie della Corea del Sud si concentrano sull’espansione della capacità DRAM 1c e HBM, rallentando al tempo stesso il ritmo dello sviluppo della memoria flash NAND di prossima generazione.Questo cambiamento ha creato una preziosa finestra di mercato per l’alleanza Kioxia-Sandisk.
Secondo Global Economic, citando il punto vendita tecnologico tedesco ComputerBase, Kioxia e Sandisk sono destinati ad aumentare in modo significativo i loro investimenti NAND, sfruttando la loro tecnologia e capacità produttiva per catturare la domanda nel mercato dello storage dei data center AI.
I dati mostrano che l’alleanza NAND USA-Giappone prevede di spendere 4,5 miliardi di dollari in spese in conto capitale quest’anno fiscale, equivalenti a 6,75 trilioni di won, segnando un aumento del 41% su base annua.L'investimento riguarderà principalmente i prodotti NAND con architettura BiCS di decima generazione.
Secondo Nikkei, Kioxia prevede di iniziare la produzione in serie di NAND di prossima generazione nel suo stabilimento di Kitakami nella prefettura di Iwate, in Giappone, nel 2026. L'architettura del prodotto passerà dalla NAND a 218 strati di ottava generazione alla NAND a 332 strati.La produzione utilizzerà la linea K2 entrata in funzione lo scorso settembre, consentendo all'azienda di utilizzare meglio le risorse produttive esistenti.
L’ultima espansione della capacità è guidata dalla crescita strutturale della domanda da parte del settore dell’intelligenza artificiale.Mentre lo sviluppo dell’intelligenza artificiale si sposta dalla formazione dell’infrastruttura all’implementazione dell’inferenza su larga scala, la domanda di prodotti di storage ad alte prestazioni e ad alta capacità continua ad aumentare.I principali fornitori di servizi cloud stanno destinando maggiori spese in conto capitale ai data center allo storage, mentre la capacità SSD per GPU è raddoppiata anno dopo anno.I server AI di prossima generazione sono ora comunemente dotati di decine di terabyte di spazio di archiviazione per GPU, stimolando ulteriormente la domanda di NAND di fascia alta.
Secondo ZDNet, Kioxia ha fissato la produzione di massa della NAND BiCS di decima generazione come obiettivo principale per l'anno fiscale 2026. Rispetto alla precedente generazione a 218 strati, il nuovo prodotto offre un aumento del 59% nella densità di archiviazione per unità di area e un miglioramento del 33% nella velocità di trasferimento dei dati.Il suo principale vantaggio tecnico risiede nel raggiungimento di una densità di storage ultraelevata con meno strati impilati, il che aiuta a semplificare l'incisione verticale, a ridurre l'usura delle apparecchiature avanzate, a ridurre i difetti di deformazione dei wafer e a migliorare significativamente i costi di produzione.La sua architettura QLC può raggiungere una densità di 37,6 Gb/mm², superando il prodotto con architettura V10 a 430 strati pianificata da Samsung.
In contrasto con l’aggressiva espansione della capacità da parte delle aziende statunitensi e giapponesi, i produttori di memorie coreani stanno ampiamente rallentando le loro roadmap relative alla tecnologia NAND.I dati TrendForce mostrano che si prevede che i principali fornitori globali di NAND aggiungeranno poca o nessuna nuova capacità nel 2026. Samsung ha rinviato la produzione di massa della sua NAND a 430 strati di decima generazione a dopo il 2027 e non ha ancora finalizzato gli ordini di approvvigionamento delle apparecchiature.
Gli analisti del settore ritengono che se Kioxia e Sandisk continueranno a migliorare i costi e ad accelerare l’adozione di SSD QLC di livello aziendale, potrebbero espandere ulteriormente la loro quota nel mercato dello storage dei data center AI.Samsung e SK hynix, supportati da rendimenti maturi di prodotti di nona generazione e da forti relazioni con il governo e i clienti aziendali, rimarranno altamente competitivi.Si prevede che l’industria globale delle NAND entrerà in una nuova fase competitiva.