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Samsung fornisce i primi campioni HBM4E da 12-alti del settore, con prestazioni in aumento di oltre il 20%

 12-high 48GB HBM4E samples

Samsung Electronics ha annunciato di aver iniziato a consegnare i primi campioni HBM4E da 12 e 48 GB del settore ai principali clienti globali.Dopo le spedizioni iniziali dei campioni e il processo di ottimizzazione, Samsung prevede di avviare la produzione di massa dell’HBM4E in linea con i programmi di sviluppo dei clienti.

Samsung ha inoltre affermato che sta espandendo la propria gamma di prodotti e introdurrà versioni da 8 da 32 GB e 16 da 64 GB per soddisfare le diverse esigenze di prestazioni di calcolo dei clienti.

HBM, o High Bandwidth Memory, è un componente abilitante fondamentale per i chip acceleratori di intelligenza artificiale, la cui larghezza di banda e capacità influiscono direttamente sull'efficienza dell'addestramento e dell'inferenza dell'IA.

Samsung è entrata nel mercato HBM nel 2015 e da allora i suoi prodotti hanno attraversato dieci generazioni di sviluppo.Nel febbraio 2026, Samsung ha iniziato la produzione in serie dell'HBM4, diventando la prima azienda al mondo a raggiungere la produzione in serie dell'HBM4.

Secondo Samsung, l'HBM4E a 12 livelli, un successore migliorato dell'HBM4, è costruito sul processo DRAM di sesta generazione di classe 10 nanometri (1c) dell'azienda e su un die con base logica da 4 nm prodotto da Samsung Foundry.Il nuovo prodotto offre importanti miglioramenti in termini di prestazioni, capacità, efficienza energetica e gestione termica ed è progettato per modelli linguistici di grandi dimensioni, intelligenza artificiale generativa e applicazioni informatiche ad alte prestazioni.Rispetto a HBM4:

Prestazioni: HBM4E offre una velocità dati stabile per pin di 14 Gbps, con scalabilità fino a 16 Gbps per soddisfare le crescenti richieste di elaborazione dei dati.Rispetto a HBM4, le prestazioni sono migliorate di oltre il 20%, mentre la larghezza di banda della memoria raggiunge i 3,6 TB/s per stack, contribuendo a massimizzare le prestazioni di elaborazione per modelli su larga scala e sistemi IA di prossima generazione.

Capacità: HBM4E offre 48 GB di capacità, oltre il 30% in più rispetto alla generazione precedente.Samsung prevede inoltre di espandere la gamma in base alla domanda dei clienti, comprese le configurazioni da 32 GB (8-high) e 64 GB (16-high).

Efficienza energetica e prestazioni termiche: il design a basso consumo e l'ottimizzazione del packaging migliorano l'efficienza energetica del 16% e riducono la resistenza termica di oltre il 14%, migliorando significativamente la dissipazione del calore e contribuendo a ridurre il consumo energetico negli ambienti dei data center IA ad alto carico.