Fonti del settore hanno affermato che il Korea Advanced Nano Fab Center (KANC) ha raggiunto una resa superiore al 95% nel suo processo di produzione di transistor metamorfici ad alta mobilità elettronica (mHEMT) da 4 pollici all'arseniuro di gallio (GaAs).La fonte ha aggiunto che questo risultato indica che il processo ha raggiunto un livello di stabilità adatto alla commercializzazione e alla produzione in serie.
Gli mHEMT GaAs sono dispositivi semiconduttori composti composti da più elementi e sono ampiamente considerati come una piattaforma materiale di prossima generazione in grado di superare i limiti fisici dei semiconduttori a base di silicio.
Rispetto al silicio, il GaAs offre una mobilità elettronica circa da cinque a sei volte superiore, consentendo una forte amplificazione e riducendo al minimo la distorsione del segnale nelle applicazioni ad altissima frequenza.
Il materiale soddisfa inoltre i severi requisiti di affidabilità in ambienti difficili, comprese le intense condizioni di radiazione presenti nello spazio, e viene utilizzato nella difesa, nell'aerospaziale e nelle applicazioni di comunicazione di prossima generazione come i radar AESA (Active Electronically Scanned Array) e i cercatori di missili.
Tuttavia, il GaAs è più fragile e più difficile da lavorare rispetto al silicio, che storicamente ha limitato la produzione a wafer più piccoli da 2 e 3 pollici.La base manifatturiera della Corea del Sud è rimasta indietro rispetto alle capacità di progettazione nazionali, con il risultato che oltre il 90% dei componenti critici viene importato.
Passando con successo a una piattaforma wafer da 4 pollici mantenendo rendimenti superiori al 95%, KANC ha migliorato l'efficienza produttiva e la stabilità del processo, supportando gli sforzi di localizzazione della Corea del Sud.
KANC ha inoltre iniziato a sviluppare un kit di progettazione del processo (PDK) per la progettazione di circuiti integrati monolitici a microonde (MMIC), fornendo parametri di processo e dati modello per la progettazione e la simulazione dei circuiti.
Una volta creata, la piattaforma consentirà alle aziende fabless sudcoreane di progettare e produrre chip ad alte prestazioni utilizzando il processo da 4 pollici di KANC, contribuendo a costruire un ecosistema di semiconduttori compositi domestici.
L'istituto sta inoltre preparando un servizio multi-progetto wafer (MPW), che consente di fabbricare più progetti di chip su un singolo wafer.Si prevede che la mossa ridurrà i costi di prototipazione per le aziende fabless più piccole, accorcerà i cicli di sviluppo e diminuirà la dipendenza dalle fonderie estere, che in genere comportano costi più elevati e tempi di consegna più lunghi.