L'CY7C136AE-55NXI è un circuito integrato ad alte prestazioni sviluppato da Cypress Semiconductor, progettato specificamente come soluzione di memoria SRAM statica a doppia porta per applicazioni elettroniche sofisticate che richiedono una gestione robusta della memoria e un'elaborazione efficiente dei dati.
Questo chip di memoria specializzato offre una capacità compatta di 16Kbit, organizzata come 2K x 8, offrendo capacità di archiviazione versatile per sistemi elettronici complessi. Con tecnologia avanzata di SRAM asincrona a doppia porta, il dispositivo consente operazioni di lettura e scrittura contemporanee, migliorando le prestazioni complessive del sistema e l'efficienza nella gestione dei dati.
Progettato per ambienti operativi esigenti, il circuito integrato garantisce un'affidabilità eccezionale grazie a un ampio intervallo di temperatura di funzionamento da -40°C a 85°C, rendendolo adatto per applicazioni industriali, automobilistiche e commerciali. Il suo package a montaggio superficiale (52-PQFP) assicura un'integrazione comoda in design elettronici compatti, mantenendo al contempo una robusta stabilità meccanica.
Il chip di memoria funziona con una tensione di alimentazione tra 4.5V e 5.5V, offrendo prestazioni costanti con un tempo di accesso rapido di 55ns e un ciclo di scrittura efficiente. Questa risposta rapida lo rende ideale per applicazioni che richiedono recupero e archiviazione dati veloci, come sistemi embedded, apparecchiature di telecomunicazioni e piattaforme di calcolo avanzate.
Tra i principali vantaggi vi sono l'architettura a doppia porta, che consente accesso indipendente alle locazioni di memoria, migliorando la reattività del sistema e riducendo eventuali colli di bottiglia. L'interfaccia di memoria parallela garantisce una connettività semplice e compatibile con vari architetture elettroniche.
Modelli alternativi equivalenti sul mercato possono includere soluzioni SRAM a doppia porta di produttori come Texas Instruments, Microchip e Alliance Memory, anche se la serie CY7C136 offre caratteristiche di performance uniche.
La conformità RoHS del dispositivo sottolinea ulteriormente il suo impegno verso la sostenibilità ambientale e il rispetto degli standard moderni di produzione elettronica, rendendolo una scelta attraente per gli ingegneri alla ricerca di soluzioni di memoria affidabili e ad alte prestazioni.
CY7C136AE-55NXI (1)
CY7C136AE-55NXI Caratteristiche tecniche chiave
Memoria da 16Kbit, tempo di accesso di 55 ns, dimensione confezione 52-PQFP (10x10 cm).
CY7C136AE-55NXI Dimensione dell'imballaggio
Confezione di montaggio superficiale in contenitore bulk, contenitore plastico Quad Flat Package (PQFP), dimensioni di 10 mm x 10 mm con 52 pin, configurazione a 52 pin per interfaccia parallela. Caratteristiche termiche: temperatura di esercizio da -40°C a 85°C, proprietà elettriche: tensione di alimentazione tra 4,5V e 5,5V.
CY7C136AE-55NXI Applicazione
Questo dispositivo SRAM è ideale per il buffering ad alta velocità e l’archiviazione temporanea di dati in sistemi digitali. Supporta interfacce di memoria parallela, rendendolo adatto a sistemi embedded, apparecchiature di comunicazione, elettronica di consumo e sistemi di controllo che richiedono memorie volatile rapide e affidabili.
CY7C136AE-55NXI Caratteristiche
Il CY7C136AE-55NXI è una SRAM asincrona a doppio portale da 16Kbit organizzata come 2K x 8 bit, con accesso ad alta velocità e ciclo di 55 nanosecondi per scritture di parola e pagina. Supporta operazioni di lettura/scrittura simultanee da due porti indipendenti, aumentando la capacità di throughput dei dati. La confezione PQFP a montaggio superficiale facilita l’integrazione sui PCB moderni minimizzando lo spazio. Funziona in un intervallo di temperatura ampio (-40°C ÷ 85°C), adatta a ambienti industriali e consumer. L’alimentazione a bassa tensione di 4,5-5,5 V ottimizza il consumo energetico. La tecnologia SRAM garantisce la conservazione dei dati volatile con tempi di accesso rapidi, eliminando la necessità di cicli di refresh come nelle DRAM.
CY7C136AE-55NXI Caratteristiche di qualità e sicurezza
Questo prodotto rispetta gli standard RoHS del settore, soggetto a verifica dell’inventario, assicurando riduzione di sostanze pericolose e conformità ambientale. Cypress Semiconductor garantisce processi di produzione rigorosi secondo gli standard internazionali di qualità. Il dispositivo supporta temperature operative estese per una maggiore affidabilità e durata in condizioni difficili. La confezione PQFP da 52 pin offre robustezza meccanica e eccellente dissipazione termica, prevenendo problemi termici.
CY7C136AE-55NXI Compatibilità
Il CY7C136AE-55NXI è pienamente compatibile con sistemi che richiedono moduli di memoria SRAM paralleli con interfaccia QFP a 52 pin. Si integra facilmente con microcontrollori, FPGA e ASIC progettati per architetture di memoria asincrone a doppio portale. Le specifiche elettriche e di configurazione dei pin sono in linea con gli standard di settore per l’espansione della memoria in sistemi embedded e di comunicazione.
CY7C136AE-55NXI Scheda tecnica PDF
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