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Diodes Incorporated
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DMN67D8LDW-7

Disponibile 126000 pcs Prezzo di riferimento (in dollari USA)
5+
$0.087
50+
$0.0703
150+
$0.062
500+
$0.0557
3000+
$0.0508
6000+
$0.0482
fabbricante Modello di prodotti:
DMN67D8LDW-7
Produttore / Marca
Diodes Incorporated
Parte della descrizione:
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Specifiche:
DMN67D8LDW-7(1).pdfDMN67D8LDW-7(2).pdf
Stato Lead senza piombo / RoHS:
RoHS Compliant
Condizione di scorta:
Nuovo originale, pezzi di ricambio 126000 disponibili.
Modello ECAD:
Nave da:
Hong Kong
Modo di spedizione:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Modello di prodotti DMN67D8LDW-7
Produttore / Marca Diodes Incorporated
Quantità di magazzino 126000 pcs Stock
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS: RoHS Compliant
RFQ DMN67D8LDW-7 Datasheets DMN67D8LDW-7 Dettagli PDF
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Potenza - Max 320mW
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.82nC @ 10V
Caratteristica FET -
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 230mA
Configurazione 2 N-Channel (Dual)
Numero di prodotto di base DMN67

Confezione

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Tutti i prodotti si imbarcheranno in vaso anti-static.Spedizione con protezione antistatica ESD.
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Spese di spedizione : (Riferimento DHL e FedEX)
Peso (KG): 0,00 kg-1,00 kg Prezzo ($ USD): $ 60,00 USD
Peso (KG): 1,00 kg-2,00 kg Prezzo ($ USD): $ 80,00 USD
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