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NXP Semiconductors / Freescale
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MRF8S18120HSR3

fabbricante Modello di prodotti:
MRF8S18120HSR3
Produttore / Marca
NXP Semiconductors / Freescale
Parte della descrizione:
FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S
Specifiche:
MRF8S18120HSR3.pdf
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / Conforme RoHS
Condizione di scorta:
Nuovo originale, pezzi di ricambio 2636 disponibili.
Modello ECAD:
Nave da:
Hong Kong
Modo di spedizione:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Modello di prodotti MRF8S18120HSR3
Produttore / Marca NXP Semiconductors / Freescale
Quantità di magazzino 2636 pcs Stock
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF
Descrizione FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S
Stato Lead senza piombo / RoHS: Senza piombo / Conforme RoHS
RFQ MRF8S18120HSR3 Datasheets MRF8S18120HSR3 Dettagli PDF
Tensione - Prova 28V
Tensione - nominale 65V
Tipo transistor LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore NI-780S
Serie -
Alimentazione - uscita 72W
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro NI-780S
Altri nomi 935310108128
MRF8S18120HSR3-ND
MRF8S18120HSR3TR
Figura di rumore -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Guadagno 18.2dB
Frequenza 1.81GHz
Descrizione dettagliata RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 1.81GHz 18.2dB 72W NI-780S
Valutazione attuale -
Corrente - Test 800mA
Numero di parte base MRF8S18120

Confezione

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Tutti i prodotti saranno imballati in un sacchetto antistatico. Spedire con protezione antistatica ESD.
L'etichetta dell'imballaggio ESD esterno utilizzerà le informazioni della nostra azienda: numero parte, marchio e quantità.
Ispezioneremo tutte le merci prima della spedizione, assicureremo che tutti i prodotti siano in buone condizioni e assicureremo che le parti siano nuove schede tecniche originali.
Dopo che tutte le merci non avranno problemi dopo l'imballaggio, imballeremo in modo sicuro e spediremo tramite Global Express. Presenta un'eccellente resistenza alla perforazione e allo strappo insieme a una buona integrità della tenuta.
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Peso (KG): 0,00 kg-1,00 kg Prezzo ($ USD): $ 60,00 USD
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